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功率放大器相关文章 |
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| 2008-09-02 | ANADIGICS发布HELP3功率放大器AWT6221，平均耗电量减少了75% ANADIGICS日前宣布其HELP3功率放大器AWT6221将平均耗电量减少了75%，从而使通话时间增加了25%。AWT6221采用了该公司特有的InGaP-Plus技术，能够在同一个InGaP GaAs模块中整合双极晶体管和场效晶体管(FET)设备。 |
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| 2008-08-06 | Intersil致力功率放大器技术，收购D2Audio公司 高性能模拟半导体设计和制造厂商Intersil公司日前宣布它已签署了一项收购D2Audio公司的最终协议，后者是一家专门致力于为消费电子、汽车以及专业音频产品等应用领域提供数字音频功率放大器设计的创新厂商。至此，Intersil公司成为全球独家拥有智能数字音频功率放大器技术的厂商。 |
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| 2008-07-25 | SiGe新推功率放大器SE7262L，针对移动WiMAX市场 SiGe(SiGe Semiconductor)为移动WiMAX市场扩展其功率放大器(power amplifier, PA)和射频(RF)前端模块产品系列，推出全新型号 SE7262L。该2.5GHz高功率放大器超越了IEEE 802.16e 和WiMAX论坛 (WiMAX Forum) 规范的频谱屏蔽要求。 SE7262L可在整个工作温度范围提供极高的稳定性，使制造商能够在移动计算应用产品中支持宽带无线多媒体服务，而不会影响电池寿命。SE7262L 最适合电池供电应用，包括用于膝上型电脑的 USB配件、PC 卡和嵌入卡。 |
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| 2008-07-04 | Vishay发布高精密度Bulk Metal表面安装电阻CSM2512S
Vishay Intertechnology推出高精密度Bulk Metal表面安装Power Metal Strip电阻——CSM2512S适用于开关线性电源、功率放大器、测量仪器、桥接网络以及医疗与测试设备。此外，CSM2512S符合EEE-INST-002 (MIL-PRF55342和MIL-PRF49465)标准，适用于军事及航空领域。 |
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| 2008-06-23 | 锐迪科推出新一代宽带高线性功率放大器RDA D101
锐迪科微电子 (RDA) 日前推出新一代宽带高线性功率放大器芯片RDA D101。RDA D101是工作频率为100MHz-2500MHz的超宽带线性RF驱动放大器，具有静态电流可调、高线性度等特点。该器件实现了直接用于功率放大器的低失真、高输出驱动，可以广泛地用于多种有线和无线应用中，包括 CATV，ISM，WLL，PCS，GSM，CDMA 和 WCDMA 等各种频段。 |
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| 2008-06-03 | 瑞萨推出新款高频功率MOSFET RQA0010/14
瑞萨（Renesas）宣布推出RQA0010和RQA0014高频功率MOSFET，以实现最高功效级别和IEC61000-4-2的4级ESD标准的高可靠性。这些器件适用于手持式无线设备发射器的功率放大器。 |
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| 2008-04-03 | 研诺推出芯片级封装版本AAT1149/AAT1171 DC/DC转换器
研诺(AnalogicTech)宣布为其AAT1149和AAT1171直流/直流转换器增加芯片级封装（CSP）。由于去除了键合线，新的CSP封装选择极大地减少了占板面积。与传统带键合线的封装相比，新的封装选项还可减少杂散电感、电容和电阻以及由其产生的噪音。 |
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| 2008-03-26 | 国半新推高精度放大器LMP7721，具业内最低输入偏置电流
美国国家半导体公司(National Semiconductor Corporation)近日宣布推出一款偏置电流低于所有竞争产品的高精度放大器。这款型号为LMP7721的芯片无论在室温之下还是在摄氏-40度至125度的广阔温度范围内，其输入偏置电流保证只有20fA，因此可大幅提高光电二极管及高阻抗传感器的系统灵敏度及准确度。 |
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| 2008-02-25 | Vishay新添两款高性能表面贴装Power Metal Strip电阻
Vishay推出两款高性能表面贴装Power Metal Strip电阻，这两款电阻采用3921及5931封装尺寸且工作温度范围介于-65℃～+275℃的此类器件。新型WSLT3921及WSLT5931器件的专有结构将固体金属铁铬合金电阻元件与低TCR以及专门选择的稳定材料进行了完美结合，可在高温下工作。 |
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| 2008-02-18 | Vishay发布高性能表面贴装Power Metal Strip电阻
Vishay近日推出两款高性能表面贴装Power Metal Strip电阻，这两款电阻是采用3921及5931封装尺寸且工作温度范围介于-65℃～+275℃的此类器件。 |
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| 2008-02-15 | Avago新系列功率放大器出炉，可改善低功率电源效率 Avago推出采用第五代革命性CoolPAM技术的新系列功率放大器产品，ACPM-7353支持高、中等和有源旁路三种功率模式，并具备低静态耗电，这些独特的功能可以降低CDMA发送器使用的平均电流并节省功耗。 |
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| 2007-06-07 | ST新推功率放大器，具优异电源噪声抑制功能 意法半导体(ST)针对手机及便携音乐播放器推出一款尺寸紧凑的功率放大器芯片，新产品能够在立体声扬声器上创造3D音效，给MP3和视频文件的声音增加冲击力和环绕声的感觉。 |
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| 2007-05-07 | 晶镁功率放大器IC新品出炉，面向便携式应用 晶镁电子(Elite MicroPower)推出1W@8Ω、2W@4Ω，单信道/双信道低失真便携式音频功率放大器IC，具备低失真、高讯噪比、高电源噪声排斥比，适用于高性能电池供应之便携式产品。 |
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| 2006-11-29 | 瞄准微弱功率无线设备应用，新日本无线20mW功率放大器出炉 新日本无线开发出了20mW功率放大器IC产品NJM2278，并开始供应样品。该产品最适用于微弱功率无线设备和特定小功率无线设备发送器的输出段。 |
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| 2006-11-22 | Hittite发布MMIC功率放大器新品，适用于通信设备 Hittite Microwave不久前推出两款可配置连接器的MMIC功率放大器——HMC-C037和HMC-C036，适用于工作频率范围为10MHz-15GHz的宽带设备、测试设备及通信产品。 |
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| 2006-11-21 | WJ针对基站系统设计推出28V InGaP/GaAs HBT功率放大器 WJ通讯公司是从事射频(RF)产品和解决方案的设计公司和供应商，它的产品用于无线基础设施和射频识别(RFID)，近日宣布推出新系列的下一代射频功率放大器组件，它使用产业界中第一个28V InGaP/GaAs HBT工艺技术，在800-2,200MHz的频率范围内达到优异的性能和出色的线性度。 |
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| 2006-08-17 | 选择匹配的功率放大器，降低MIMO设计成本 在WLAN系统中，可利用MIMO技术来提高数据率，但其中面临的一项主要挑战，便是在实现传统单入单出(SISO)系统所要求的更好线性度和更高效率的同时，维持每个独立发射器的振幅与相位精度的匹配。而对MIMO WLAN供应商而言，提供具有精确的幅度与相位以及较高性价比的解决方案非常重要。为了上述目标，设计师在选择诸如功放这样的关键器件时，要权衡性能和成本。 |
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| 2006-08-17 | SiGe发布纤薄型Wi-Fi系统功率放大器SE2523BU SiGe半导体(SiGe Semiconductor)宣布推出全球最纤薄的Wi-Fi系统功率放大器RangeCharger SE2523BU，采用侧高仅为0.5mm如纸张般纤薄的全新封装，集成了SiGe半导体性能和高功效技术。这种超薄设计更可降低25%的功耗，适合于把Wi-Fi功能嵌入到以电池供电的便携式消费电子产品中。 |
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| 2006-06-30 | GaAs MESFET功率放大器电路设计 该应用指南讨论了如何使用GaAs MESFET功率放大器电路设计。 |
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| 2006-06-30 | 3V电源电压1.9GHz的功率放大器 本应用实例描述了3V电源供电电压1.9GHz频率下射频放大器工作性能的测量结果。 |
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