|
||||||||||||||||||||||||||
MOSFET相关文章 |
||||||||||||||||||||||||||
| 2008-09-12 | MagnaChip推出互补型N-P通道MOSFET系列适合液晶显示 为大量消费应用产品提供模拟和混合信号半导体产品的领先供应商 MagnaChip Semiconductor Ltd. 今天宣布推出用于液晶 (LCD) 电视和液晶显示器背照灯元件的新型节能 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）系列。 |
|||||||||||||||||||||||||
| 2008-09-11 | CPU供电的MOSFET自举驱动电路设计 通过对商用计算机CPU供电电路功率管耐压30V MOSFET的寄生参数的研究和试验，设计了一个250KHz开关频率下的自举推挽驱动电路和门极快速放电回路，推挽电路阻抗小，类恒流源性质，驱动能力强，减少了门极驱动损耗，增强了MOSFET抗干扰能力。 |
|||||||||||||||||||||||||
| 2008-09-02 | 应用零电压MOSFET设计常开负载开关降低功耗 随着供电电压的降低和绿色能源的普及，设计者应该重新检查电路中持续耗电的部分，从而降低整个系统的能耗。需要持续供电的“常开”（ normally-ON）电路，现在可以通过一些新的器件来重新设计，以减少能量的浪费。 |
|||||||||||||||||||||||||
| 2008-08-15 | PAM新推内置MOSFET管并输出30瓦的高功率LED驱动器PAM2842 PAM(Power Analog Microelectronics)公司, 一家研发创新D类数字音频功放和高功率LED显示驱动器芯片公司,今天发布她的第一个具有内置MOSFET高压30瓦的LED驱动器,这个驱动器是采用台积电（TSMC）的双极型-CMOS-DMOS(BCD)工艺而制成的。 |
|||||||||||||||||||||||||
| 2008-07-25 | Maxim发布高压高速MOSFET驱动器MAX15018/19 Maxim推出高压、高速MOSFET驱动器MAX15018/MAX15019，用于驱动高边和低边n沟道MOSFET。器件具有高端(HS)引脚，允许高达125V的输入电压，该指标优于竞争产品的105V电压。MAX15018/MAX15019与工业标准的HIP2100IB和HIP2101IB引脚兼容，理想用于必须承受100V或更高瞬态电压的电信电源产品中，保证足够的安全裕量。 |
|||||||||||||||||||||||||
| 2008-07-22 | 卓芯微发布P型MOSFET集成肖特基产品RCRH010FA/RCRH003FB 卓芯微电子(Innova-Semi)推出P型MOSFET集成肖特基产品RCRH010FA 和RCRH003FB。P沟道增强型场效应管采用高密度DMOS生产工艺，具有极低的导通电阻，并且在低至1.8V的栅极电压下仍可正常开启。配合使用的肖特基芯片采用Low VF工艺，同时具有极佳的反向漏电特性。 |
|||||||||||||||||||||||||
| 2008-07-18 | IR针对高频DC-DC应用推25V同步降压转换器DirectFET MOSFET芯片组 国际整流器公司(International Rectifier，IR)，针对高频和高效率DC-DC应用，推出25V同步降压转换器DirectFET MOSFET芯片组，适用于负载点(POL)转换器设计、服务器、高阶桌上型计算机和笔记型计算机应用。 |
|||||||||||||||||||||||||
| 2008-07-14 | Allegro发布汽车级三相MOSFET预驱动器IC A4935 Allegro推出面向汽车及工业应用的新款汽车级三相 MOSFET 预驱动器 IC。这款新器件为第三代三相驱动器，具有比前几代产品更高的性能及更出色的工作特性。Allegro 强大可靠的最新设计非常适用于使用电动机相电流正弦控制的系统。这种整流方法可实现顺畅的运行，并可降低噪声，以及将负载的转矩脉动降至最低。 |
|||||||||||||||||||||||||
| 2008-07-08 | 热门绿色节能解决方案图文总汇，恩智浦GreenChip出货量超4亿
在恩智浦半导体公司位于香港新界葵冲的封测工厂里面，《电子工程专辑》有幸见证了NXP第4亿颗GreenChip问世的庆典活动。这些GreenChip在过去十年来被装置在各款PC、笔记本电脑、电视机和节能灯泡中，有可能您正在使用的电脑的电源部分就用上了NXP的电源管理芯片。 |
|||||||||||||||||||||||||
| 2008-07-01 | 高性能高功率D类驱动器
D类音频放大器电路已经问世十余年，与一般的线性AB类拓朴相比，D类放大器不仅效率更高而且尺寸也更小。在一个AB类放大器上，经过其输出器件的电压等于扬声器和干线电压之间的电压差，并且会随音频信号的变化而变化。因此，功耗等于这个电压与输出电流的乘积。典型效率为30%。结果，AB类输出级通常需要具有散热器，如果允许，最好是一个风扇，特别是在功率水平超过50W的情况下更是如此。 |
|||||||||||||||||||||||||
| 2008-06-25 | 利用CFD建模方法进行PCB热设计
由于多相位稳压器应用要求的功率等级越来越高，同时可用的电路板面积又在不断减小，PCB电路板走线设计已经成为稳压器热设计的重要组成部分。PCB板可以帮助散发稳压器产生的大部分热量，而且在许多情况下这是唯一的散热方式。设计良好的走线可以通过增强MOSFET和IC周围的有效热导率来改善电路板的热性能。另外一方面，为了降低成本，又需要减少不必要的走线。因此为了满足上述目标，必须在设计阶段对稳压器周围的PCB热导率变化及其对稳压器热性能的影响进行评估和调整。 |
|||||||||||||||||||||||||
| 2008-06-24 | 实用电源设计Q&A系列之十三：便携式设备电池管理策略与应用设计
问：如何检测电池电压？在我的应用中，需要动态地检测电池的电压。而我的系统限制只能提供一个数字I/O。请问我如何才能有效的检测该参量？答：从工程角度讲，我建议你增加一个可以利用单个I/O通信的器件来实现电池电压测量等功能的芯片，如Maxim的1-wire电池管理器件DS2762或ADC芯片DS2450。做为技术的讨论，如果这个数字I/O是唯一的资源、系统有计时器可用和打算在软件上花些功夫，还是有可能粗略测量电池电压的。具体的做法与能提供的I/O输出的逻辑电平有关，要用到输出和输入两个状态。这个方法需要用输出0电平和电源电压为电压标准值，用输入的甄别门限Vt作电压检测。 |
|||||||||||||||||||||||||
| 2008-06-23 | 功率MOSFET教程(第一部分)
众所周知，由于采用了绝缘栅，功率MOSFET器件只需很小的驱动功率，且开关速度优异。可以说具有“理想开关”的特性。其主要缺点是开态电阻(RDS(on))和正温度系数较高。本教程阐述了高压N型沟道功率MOSFET的特性，并为器件选择提供指导。最后，解释了Microsemi公司Advanced Power Technology (ATP) MOSFET的数据表。 |
|||||||||||||||||||||||||
| 2008-06-11 | MOSFET的开关速度将决定未来POL电源的性能
一个采用DirectFET MOSFET并基于四相同步整流器的VRM能够于高达2MHz/相位下工作，并提供120A电流，且满足负载点电源的瞬态响应要求。 |
|||||||||||||||||||||||||
| 2008-06-03 | 实用电源设计Q&A系列之十一：如何利用示波器有效辅助开关电源设计
问：用泰克示波器的FFT功能可以看到开关电源的辐射的频率及幅度，但是这里面的幅度的值与认证中心的值的概念是一样吗？假如不是，怎样转换？而且我还发现，假如在看波形时选不同的V/DIV，在FFT状态下有不同的幅度？正常吗？---我用的型号是TDS1012。答：使用示波器的FFT功能测得的幅值只能作为定性的分析，而不能作为定量的分析，因此只具备参考价值，若希望对频谱幅度进行分析可选择Blackman-Harris窗口,这样效果会好一些；当转换V/div时一定会对FFT的幅值产生影响，因为这是受到示波器本身的ADC的分辨率限制，所以我们为了希望提高测量精度，一般会选择将波形尽可能占满整个屏幕（但决不能超出屏幕），也就是选择较小的V/div档位。 |
|||||||||||||||||||||||||
| 2008-06-02 | 实用电源设计Q&A系列之十：如何在便携式产品中实现高效电源变换？
问：我在设计一件便携式产品中，整个产品的功耗是十分重要的指标。我想请教一下，电源转换效率和整个产品低功耗设计的关系？在开发过程中，为了实现产品低功耗，开发工程师所能够支配的环节？答： 首先，我们可以考虑便携设备中的功耗分布。电源功耗常常是总功耗中的一个显著因素。所以提高电源效率，减少电源功耗，对于设计一个高效率的便携设备是非常重要的。为了得到一个高效率的便携设备，设计工程师要选择一个低功耗系统设计方案，以使系统的自身功耗比较低，还须认真考虑电源的方案，使其既能满足系统对其提出的各种限制条件，例如：尺寸大小，干扰限制，等等，又能尽量做到高效率。 |
|||||||||||||||||||||||||
| 2008-05-30 | Zetex发布驱动MOSFET的专用整流器控制器ZXGD3101 Zetex（捷特科）推出一款驱动MOSFET的专用整流器控制器，从而使 50 至 150W 的同步反激式转换器成为完美的二极管。ZXGD3101 可使设计人员以表面贴装 MOSFET 取代有损耗的肖特基二极管。 |
|||||||||||||||||||||||||
| 2008-05-30 | IR新推30V DirectFET MOSFET系列，适用于CPU电源 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR)推出专为笔记本电脑、服务器CPU电源、图形，以及内存稳压器应用的同步降压转换器设计而优化的全新30V DirectFET MOSFET系列。 |
|||||||||||||||||||||||||
| 2008-05-21 | Intersil新推大电流MOSFET栅极驱动器ISL6615/15A Intersil公司近日宣布推出高频6A吸入电流同步（sink synchronous）MOSFET栅极驱动器ISL6615和ISL6615A。这些新器件有助于为系统安全提供更高的效率、灵活性和更多的保护功能。 |
|||||||||||||||||||||||||
| 2008-05-16 | ST新推快速恢复MOSFET晶体管STW55NM60ND 意法半导体(ST)推出超结FDmesh II系列快速恢复MOSFET晶体管新产品STW55NM60ND，为满足包括再生能源控制器在内的以能效为中心的应用需求，新产品在现有产品的基础上提高了开关性能，同时还使导通电阻实现超过18%的降幅。 |
|||||||||||||||||||||||||
| 2008-05-05 | 飞思卡尔新推9.0V～18V四组输出集成MOSFET器件 飞思卡尔在其电源管理产品系列中添加了MC34700电源集成电路，这些产品已经对空间受限的高电压和高功率应用进行了优化。MC34700是一款9.0V～18V四组输出集成MOSFET器件，广泛的输入电压范围让该器件非常适合于标称电压为12V的应用。 |
|||||||||||||||||||||||||
| 2008-04-30 | 安森美推出用于便携电子产品的超小型MOSFET NTUD312x 安森美半导体(ON Semiconductor)推出三款新的采用超小型SOT-963封装的MOSFET，它们均针对空间受限的便携电子产品进行了优化。这些采用SOT-963封装的NTUD312x新器件仅有0.5mm的低垂直净距，满足新世代超薄手持便携设备的要求。 |
|||||||||||||||||||||||||
| 2008-04-23 | 安森美新推四款MOSFET驱动器，面向中低功率应用 安森美半导体(ON Semiconductor)扩展MOSFET驱动器集成电路系列，推出四款新器件：NCP5106、NCP5104、NCP5111和NCP5304。这些新的功率门驱动器针对中低功率应用，适用于终端产品包括白家电、照明电子镇流器和马达控制等工业应用。 |
|||||||||||||||||||||||||
| 2008-03-14 | Zetex发布首款无铅封装MOSFET产品ZXMN2F34MA Zetex（捷特科）推出其首款采用无铅2mm x 2mm DFN封装的MOSFET产品ZXMN2F34MA。该器件的印刷电路板占位面积比行业标准SOT23封装器件小50%，板外高度只有0.85mm，适用于各类空间有限的开关及电源管理应用。 |
|||||||||||||||||||||||||
| 2008-02-25 | 飞兆40V P沟道PowerTrench MOSFET产品FDD4141出炉 飞兆半导体推出40V P沟道PowerTrench MOSFET产品FDD4141，为功率工程师提供快速开关的解决方案，可将开关损耗减少达一半。FDD4141具有低导通阻抗(RDS(ON))，与目前的MOSFET比较能降低栅极电荷(QG)达50%。 |
|||||||||||||||||||||||||
| 2008-01-24 | Maxim推出25A降压型开关调节器MAX8655，内置MOSFET Maxim推出MAX8655小封装(8mm x 8mm x 0.8mm (高) TQFN)的内置MOSFET降压型开关调节器。该器件提供高达25A的输出电流。4.5V至25V宽输入电压范围使器件适用于输入电压具有2：1变化范围的内部总线架构(IBA)应用。 |
|||||||||||||||||||||||||
| 2007-11-30 | Linear推出高速100V同步MOSFET驱动器LTC444 凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出高速、高输入电源电压(100V)同步MOSFET驱动器LTC4444，该器件用于在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端功率的N沟道MOSFET。这个驱动器可与功率MOSFET以及凌力尔特公司的很多DC/DC控制器一起组成完整的高效率同步转换器。 |
|||||||||||||||||||||||||
| 2007-10-16 | Vishay发布新系列P通道MOSFET，具低导通电阻 Vishay宣布推出新系列P通道MOSFET，这些器件建立了Vishay每单位面积最低导通电阻的新记录。 |
|||||||||||||||||||||||||
| 2007-08-27 | 飞兆全新高效N沟道MOSFET系列登场，提供8kV ESD电压保护 飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)近日推出全新的高效N沟道MOSFET系列，提供高达8kV的ESD (HBM)电压保护，较市场现有器件高出90%。FDS881XNZ系列支持用于电池组保护应用(如笔记本电脑和手机)的最新架构。 |
|||||||||||||||||||||||||
| 2007-08-03 | 低边自保护MOSFET 汽车和工业控制电子产品日益增加的密度和复杂性，要求达到尽可能高的元器件集成水平，以便节省空间、降低成本并提高可靠性。带电源开关的保护功能的集成，继续推动着新产品的开发。由于汽车和工业电子产品的开放式环境，常常发生瞬时电压、高功率、高感性负载、各种外部连接以及人为干扰，让故障保护电路成为必需。功率MOSFET处理技术的发展使限流等保护功能和标准MOSFET功率晶体管开关结合到了一起。本文将讨论ON Semiconductor公司的HDPlus单片低边智能MOSFET系列产品的技术和工作原理。 |
|||||||||||||||||||||||||
| 2007-08-01 | 高单元密度MOSFET设计 就在数年前，要获得60 V、10 m的功率晶体管技术就是个梦。毕竟，10 m是大概20cm #22规线的电阻。而到如今，10 m以下的功率晶体管不仅已经出现，而且还采用了标准的TO?C220封装。这些是“高单元密度”功率MOSFET技术领域的最新发展。另外，摩托罗拉的高单元密度技术（HDTMOS）还具有其它优势，比如大大改进了体二极管的性能。这些技术上的改进实在是非凡的，正在从根本上改变低电压功率晶体管技术。 |
|||||||||||||||||||||||||
| 2007-07-27 | 带电流感应的±4A数字控制兼容型单低端MOSFET驱动 UCD7100是UCD7K系列数字控制可兼容驱动产品中的一员。该系列产品适合于运用了数字控制技术或要求快速局部峰值电流限流保护的应用。 |
|||||||||||||||||||||||||
| 2007-07-26 | 高速MOSFET栅极驱动电路的设计与应用指南 文中分析了一些最流行的电路方案及其性能，包括寄生元件、瞬间和极端工作条件的影响。首先，文章对MOSFET技术和开关操作进行了大致讨论，从简单问题逐渐转向复杂问题，并详细讲述了低端和高端栅极驱动电路以及交流耦合和变压器隔离式方案的设计程序。另外，文章还专门用一个章节的内容来讨论同步整流器应用中MOSFET的栅极驱动要求。 |
|||||||||||||||||||||||||
| 2007-07-20 | 利用智能MOSFET驱动器提升数字控制电源性能 在电源系统中，MOSFET驱动器一般仅用于将PWM控制IC的输出信号转换为高速的大电流信号，以便以最快的速度打开和关闭MOSFET。由于驱动器IC与MOSFET的位置相邻，所以就需要增加智能保护功能以增强电源的可靠性。 |
|||||||||||||||||||||||||
| 2007-07-17 | 巧用快速恢复MOSFET，简化三相逆变器拓扑设计 提高效率和节能是家电应用中首要的问题。三相无刷直流电机因其效率高和尺寸小的优势而被广泛应用在家电设备中以及很多其他应用中。此外，由于采用了电子换向器代替机械换向装置，三相无刷直流电机被认为可靠性更高。 |
|||||||||||||||||||||||||
| 2007-07-05 | 高功率便携式DC-DC中MOSFET功耗的计算 也许，今天的便携式电源设计者所面临的最严峻挑战就是为当今的高性能CPU提供电源。它们的电源电流最近每两年就翻一番。事实上，今天的便携式核电源电流需求会高达40A或更多，电压介于0.9V和1.75V之间。但是，尽管电流需求在稳步增长，留给电源的空间却并没有增加——这个现实已达到了热设计的极限甚至超出。 |
|||||||||||||||||||||||||
| 2007-07-04 | 如何计算高功率电源中MOSFET的功耗 功率MOSFET是用于便携式设备的所有高功率开关电源中的重要部分。另外，在散热功能最差的笔记本电脑中，功率MOSFET的选择也不是一件容易的事情。本文就如何计算功率MOSFET的功耗并确定其工作温度进行逐步指导，还将逐步分析一个多相同步整流步降CPU内核电源中的一个30A的相的设计，来说明这些概念。 |
|||||||||||||||||||||||||
| 2007-07-04 | Microchip推出0.5A小型MOSFET驱动器，具优异抗锁定性能 美国微芯科技公司(Microchip Technology Inc.)宣布推出MCP1401及MCP1402(MCP140X)单输出MOSFET驱动器。MCP1401及MCP1402 MOSFET驱动器分别采用反相和非反相设计，额定峰值输出电流均为0.5A，工作电压范围则宽达4.5V至18V。这些器件兼具极佳的抗锁定性能，采用微型2 x 3mm DFN和5引脚SOT-23封装。 |
|||||||||||||||||||||||||
| 2007-05-24 | 研诺新推P沟道限流型MOSFET功率开关芯片，内置功率回路 研诺逻辑科技有限公司(AnalogicTech)日前宣布推出一款P沟道限流型场效应管(MOSFET)功率开关芯片——AAT4620，适用于个人电脑(PC)调制解调器(modem)卡的高端负荷开关应用。 |
|||||||||||||||||||||||||
| 2007-05-18 | 快捷发布互补型40V MOSFET组件FDD8424H，具优异散热能力 快捷半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出互补型40V MOSFET组件FDD8424H，它采用双DPAK封装，可提供优异散热能力，有助于提高系统可靠性、缩减电路板空间及降低系统的整体成本。 |
|||||||||||||||||||||||||
| 2007-05-17 | 飞兆推出互补型40V MOSFET，双DPAK封装使热阻抗提高10倍 飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)近日推出互补型40V MOSFET器件FDD8424H，采用双DPAK封装，提供业界领先的散热能力，有助于提高系统可靠性、减小线路板空间及降低系统总体成本。 |
|||||||||||||||||||||||||
| 2007-05-08 | 在SMPS应用中选择IGBT和MOSFET的比较 开关电源(Switch Mode Power Supply；SMPS) 的性能在很大程度上依赖于功率半导体器件的选择，即开关管和整流器。 |
|||||||||||||||||||||||||
| 2007-04-24 | ROHM扩大MOSFET产品阵营，新型MPT6 Dual“轻薄”登场 半导体制造商ROHM株式会社最近开发出适合汽车驾驶导向系统、便携式DVD机、笔记本电脑、游戏机等小型、薄型机器的电源开关和电动机驱动器使用的“MPT6 Dual（2组件）”型系列产品，这种产品采用独创的小型大功率封装，低导通电阻的元器件。 |
|||||||||||||||||||||||||
| 2007-04-17 | Intersil新推同步降压型稳压器，集成MOSFET开关 Intersil公司推出了一种2.5A、宽输入电压范围的同步降压型稳压器ISL8502，这种产品通过可编程切换频率和外部同步显著降低噪声和满足EMI滤波需求。集成了MOSFET开关，并采用耐热增强型的紧密4mm x 4mm QFN封装使得ISL8502成为5V/12V输入电压、空间有限应用的理想选择。 |
|||||||||||||||||||||||||
| 2007-04-12 | Vishay新推75V、2A半桥式MOSFET驱动器 Vishay Intertechnology近日宣布推出可提供2A峰值汇和源栅极驱动电流的高频75V半桥式n通道MOSFET驱动IC。 |
|||||||||||||||||||||||||
| 2007-04-06 | Zetex发布新型自保护MOSFET，增加诊断功能 模拟信号处理及功率管理解决方案供应商捷特科(Zetex Semiconductors)公司近日推出首款采用SOT223封装的低端自保护MOSFET，它可通过独立状态引脚提供诊断反馈，有效地提高汽车和工业性高压系统的可靠性。 |
|||||||||||||||||||||||||
| 2007-03-26 | 飞兆全新N沟道MOSFET登场，优化等离子体显示板系统效率 飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出全新的FDB2614(200V)和FDB2710(250V) N沟道MOSFET，这两款产品经专门设计，可为等离子体显示板(PDP)应用提供良好的系统效率和优化的占位空间。 |
|||||||||||||||||||||||||
| 2007-03-19 | MOSFET驱动器IC注意事项 The key to efficient power conversion lies in the switching that occurs within the power stage of a dc/dc converter. For good reason, many of today's high-frequency high-performance PWM controllers do not have the capability to drive a power MOSFET directly. |
|||||||||||||||||||||||||
| 2007-03-01 | 安森美面向超薄设计新推MOSFET，内置ESD保护 安森美半导体推出采用小型SOT-723封装，特别为空间受限的便携式应用优化的新一代功率MOSFET，NTK3134N是一款20V, 890mA的N通道MOSFET，NTK3139P则是-20V, -780mA的P通道MOSFET，两款器件在高于200mA工作电流下的低导通电阻RDS(on)以及1.5V的低门极电压让它们可以通过电源管理ASIC或其他控制器直接控制。 |
|||||||||||||||||||||||||
| 2007-02-26 | Zetex发布三款为有限驱动电压应用设计的N沟道增强模式MOSFET 模拟信号处理及功率管理解决方案供应商Zetex Semiconductors近日推出三款为有限驱动电压应用设计的N沟道增强模式MOSFET。 |
|||||||||||||||||||||||||
| 2007-02-23 | Intersil ISL6535高性能PWM控制器集成了MOSFET Intersil公司近日推出ISL6535高性能PWM控制器。该产品整合了12V、高速3A MOSFET栅极电路驱动器，可以实现出色的栅极电路驱动能力，并能利用较经济的MOSFET提高工作效率。该转换器还能提供和吸收电流，非常适于DDR存储器应用。 |
|||||||||||||||||||||||||
| 2007-02-14 | Zetex N通道增强型MOSFET添新丁，提供低损耗开关功能 Zetex Semiconductors推出三款针对可用驱动电压有限的应用设计的N通道增强型MOSFET。这三款新组件分别为20V的ZXMN2B03E6 (SOT236封装)、ZXMN2B14FH及ZXMN2B01F (两者均属SOT23封装)。 |
|||||||||||||||||||||||||
| 2007-02-07 | 盛群高压MOSFET闸极驱动器登场，面向直流无刷马达控制 盛群半导体针对三相直流无刷马达控制领域，推出专用MCU-HT45RM03并搭配高压MOSFET闸极驱动器HT45B0C。HT45B0C搭配Holtek新发表的直流无刷马达控制器HT45RM03，是控制直流无刷马达最佳的方案选择。适用的应用领域包含：电动自行车、吸尘器及各种直流无刷马达类的工业控制领域。 |
|||||||||||||||||||||||||
| 2007-01-04 | 麦克雷尔发布全新10V MOSFET驱动器系列 模拟、高速带宽通信和以太网集成电路解决方案领域的企业麦克雷尔公司日前宣布推出新的10V驱动器系列产品，该系列产品是用来驱动在半桥和同步反向拓扑中高端和低侧N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。 |
|||||||||||||||||||||||||
| 2006-12-30 | IR新推150V DirectFET MOSFET，具高散热效率 国际整流器公司推出最新150V DirectFET MOSFET IRF6643PbF，适用于36V至75V通用电信输入及48V固定输入系统等多种运行环境的隔离式DC-DC转换器。新型DirectFET器件采用IR的DirectFET封装技术及新一代HEXFET功率MOSFET硅，额定电流可达35A，其散热表现更加卓越且效率更高，而占板面积则只相当于扁平型SO-8封装。 |
|||||||||||||||||||||||||
| 2006-12-26 | 用有限元分析提高精度，MOSFET热模拟在线工具火爆登场 一种能对Vishay Siliconix MOSFET的热性能进行模拟，并号称是第一款利用有限元分析以提高精确度的免费在线工具目前正在网上流行。 |
|||||||||||||||||||||||||
| 2006-12-15 | Sipex推出PowerBlox新品，集成两颗MOSFET Sipex的PowerBlox系列DC/DC又推出新产品，最新的SP766x只需要一路电源，输出电压低至0.8V，最大电流能力达12A。在一个DFN-26的封装里，PowerBlox集成2颗高性能MOSFET，外围只需少量的元件便可组成大电流开关电源，同时高达93%的效率也使得发热量及少。 |
|||||||||||||||||||||||||
|
|||
|
