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什么是ESD?

"ESD是代表英文Electrostatic Discharge即“静电放电”的意思。ESD是本世纪中期以来形成的以研究静电的产生与衰减、静电放电模型、静电放电效应如电流热(火花)效应(如静电引起的着火与爆炸)和电磁效应(如电磁干扰)等的学科。近年来随着科学技术的飞速发展、微电子技术的广泛应用及电磁环境越来越复杂,对静电放电的电磁场效应如电磁干扰(EMI)及电磁兼容性(EMC)问题越来越重视。
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2009-06-23 安森美半导体推出0201 DSN-2封装的ESD保护器件ESD11N和ESD11B
  安森美半导体推出两款采用最新的超小型0201双硅片无引脚(Dual Silicon No-Lead ,DSN-2)封装的静电放电(ESD)保护器件。
2009-06-11 Intersil推出电压逻辑电平转换器ISL3034E/35E/36E
  Intersil公司日前宣布,推出一系列新的电压逻辑电平转换器(VLT)——ISL3034E/35E/36E。转换器具有业界领先的ESD保护功能,100Mbps的数据速率可传送高速数据流。
2009-05-31 让CMOS集成高压功能,ESD障碍须克服
  一个由英飞凌(Infineon Technologies)和印度孟买理工学院(Indian Institute of Technology, Bombay)组成的联合研究小组,近日宣称可将高电压功能集成在先进的CMOS技术中。
2009-05-31 安森美半导体推出业界首款带集成ESD保护的共模扼流圈EMI滤波器
  安森美半导体(ON Semiconductor)推出业界首款共模扼流圈及静电放电(ESD)保护集成电路(IC) ,应用于高速数据线路。
2009-04-30 安森美推出USB 2.0过压保护器件NCP362
  全球领先的高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体推出业界首款带集成电流保护和高速静电放电(ESD)保护的过压保护(OVP)器件——NCP362,用于便携、电信、消费和计算系统中的USB 2.0应用。
2009-01-19 探索供应电源关闭时的‘Off-amps’问题
  除了静电放电(ESD)测试以外,放大器的所有特性都是以电源开启的状态下所呈现的,因此,当电源供应关闭时,放大器所呈现性能的问题──‘离线放大器’(off-amps),并不是件容易事先预测的事情。要回答关于off-amp的问题,必须对放大器内部的晶体管位准运作、off-amp在无电源下要如何运作、连结至off-amp的外部电路为何、以及该外围电路在无电源下要如何运作等都有详尽了解。
2009-01-04 爱普科斯(Epcos)新型E系列多层陶瓷电容器(MLCC)为高度坚固元件
  爱普科斯(Epcos)新型E系列多层陶瓷电容器(MLCC)为高度坚固元件,采用X7R材料制作而成,其抗静电放电脉冲能力与标准型号相比更加卓越。原料及设计的优化使得E系列还具备低至1nF的电容值。因此,它能够防护达到300 MHz的电磁干扰。低电容值意味着它还可应用于 ESD 防护低通滤波器。
2008-12-31 意法推出ESD保护二极管ESDALCxx-1U2系列
  意法半导体(ST)推出全新ESD保护二极管产品系列,新产品的尺寸比上一代缩小67%,能够承受最严格的IEC61000-4-2标准的ESD测试脉冲,低钳位电压特性有助于提高对调制解调器等低压芯片的保护性能。ESDALCxx-1U2系列产品采用节省空间的ST0201封装,占板面积为0.18mm2
2008-12-31 电子工程师必备手册:ESD设计秘籍(下)
  什么是ESD? "ESD是代表英文Electrostatic Discharge即“静电放电”的意思。ESD是本世纪中期以来形成的以研究静电的产生与衰减、静电放电模型、静电放电效应如电流热(火花)效应(如静电引起的着火与爆炸)和电磁效应(如电磁干扰)等的学科。近年来随着科学技术的飞速发展、微电子技术的广泛应用及电磁环境越来越复杂,对静电放电的电磁场效应如电磁干扰(EMI)及电磁兼容性(EMC)问题越来越重视。
2008-12-19 电子工程师必备手册:ESD设计秘籍(上)
  什么是ESD? "ESD是代表英文Electrostatic Discharge即“静电放电”的意思。ESD是本世纪中期以来形成的以研究静电的产生与衰减、静电放电模型、静电放电效应如电流热(火花)效应(如静电引起的着火与爆炸)和电磁效应(如电磁干扰)等的学科。近年来随着科学技术的飞速发展、微电子技术的广泛应用及电磁环境越来越复杂,对静电放电的电磁场效应如电磁干扰(EMI)及电磁兼容性(EMC)问题越来越重视。
2008-12-04 Vishay新型超薄ESD保护阵列VBUS053AZ-HAF,厚度仅0.6mm
  日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新型超薄 ESD 保护阵列 --- VBUS053AZ-HAF,该器件具有低电容和低漏电流,可保护 USB-OTG 端口免受瞬态电压信号损坏。新器件在工作电压为 5.5V 时提供三线 USB ESD 保护,在工作电压为 12V 时提供单线 VBUS 保护。
2008-11-26 安森美发布独立式LIN收发器NCV7321,符合LINv2.1和J2602规范
  安森美半导体推出用于汽车产业的独立式本地互联网络(LIN)收发器NCV7321。这低功率混合信号NCV7321器件替代AMIS-30600单线式LIN收发器,但具有更优越的电磁兼容(EMC)能力和静电放电(ESD)性能,以及更低的功率耗散。
2008-11-24 静电放电协会(ESDA)和JEDEC就统一的静电放电检测方法标准的制定合作
  JEDEC固态技术委员会和静电放电协会日前宣布双方已经达成了一项设备静电放电(ESD)敏感性检测领域联合标准和出版物开发的凉解备忘录(MOU)。 JEDEC和静电放电协会相信这份凉解备忘录符合双方机构、成员公司和整个产业的最高利益。。
2008-11-12 防范ESD损失 安森美半导体专家分享设计心得
  高性能、高能效硅解决方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor)日前在台北举行的第七届静电放电保护技术研讨会上,针对如何防止静电放电(ESD) 所带来的损失,从元件、制造和系统三个层级的技术面加以探讨,为业界提供实质建议。
2008-11-07 恩智浦推出最小静电保护器件IP4281CZ10,在UTLP中可达到业界最低钳位电压
  恩智浦半导体近日推出世界上最小的静电保护器件,该装置在超薄无引脚封装(UTLP: Ultra-Thin Leadless Package )中达到业界最低钳位电压。消费电子产品,例如电视机、笔记本电脑、机顶盒,游戏操控台和DVD播放器将从不稳定的ESD电压中得到更好的保护,最大程度地保障用户的安全。



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