如何动态降低供电噪声
作者：:Raj Nair, Donald Bennett

关于纳米级处理器和其它超大规模集成电路的有效功耗和电源完善管理的文献已经有好多了。在使用90纳米及以下的先进工艺生产的器件中，电源噪声增益的显著下降导致了无法被传统的查实和确认方法测量的电量损失和定时问题。在低压电源的前提下提升电流密度与供电电路的阻抗相结合产生的芯片内外电源的巨大变化在[1]中被称为电压消沉。虽然在半导体器件的微缩进程中，可以通过进一步降低供电电压来减少静态和动态功耗，但之前的因素使它变得更难。同时器件在更低尺寸的纳米级工艺(90纳米及以下)下呈现出非常大的器件不一致性，这就需要做一些特别的设计来补偿。