用户登录 首页 / 用户登录

高单元密度MOSFET设计


就在数年前,要获得60 V、10 m的功率晶体管技术就是个梦。毕竟,10 m是大概20cm #22规线的电阻。而到如今,10 m以下的功率晶体管不仅已经出现,而且还采用了标准的TO?220封装。这些是“高单元密度”功率MOSFET技术领域的最新发展。另外,摩托罗拉的高单元密度技术(HDTMOS)还具有其它优势,比如大大改进了体二极管的性能。这些技术上的改进实在是非凡的,正在从根本上改变低电压功率晶体管技术。

请登陆或注册网站阅读全文>>


如果您已经是以下网站的注册用户,请使用您当时的注册帐号登陆

电子工程专辑旗下网站

最新信息
返回页首